삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚·10억 분의 1ｍ) 공정 초도 양산을 시작했다고 30일 발표했다.

반도체 회로 선폭을 의미하는 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 이 공정에서는 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC보다 삼성전자가 앞섰다. 지금까지 삼성전자와 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4나노였다. 회로 선폭을 미세화할수록 반도체 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상되는데, 삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 ‘GAA’(Gate-All-Around) 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이뤄냈다. 삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄일 수 있다고 설명했다. 이번 3나노 공정은 첨단 파운드리 EUV(극자외선) 공정이 적용되는 삼성전자 화성캠퍼스 S3 라인에서 생산된다. 연합뉴스