- 클린룸 2027년 2월 조기 준공
- 소부장 50곳과 협력단지 추진

SK하이닉스가 AI 반도체 수요 급증에 대응하기 위해 경기 용인 반도체 클러스터 1기 팹(fab·반도체 생산공장)에 대규모 추가 투자를 확정했다.

경기도 이천시 SK하이닉스 본사 모습. 연합뉴스

SK하이닉스는 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈(Phase) 2~6기 건설에 총 21조6081억 원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. 투자 기간은 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다. 앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설을 위해 9조4000억 원을 투자하기로 결정한 바 있다. 이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 총 투자액은 약 31조 원으로 확대됐다.

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다. 완공된 1기 팹은 총 2개 골조와 6개 클린룸으로 구성된다. 지난해 2월 1기 팹을 착공, 클린룸 오픈 시점은 2027년 5월에서 2027년 2월로 약 3개월 앞당겨질 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다. 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다. 또한 애초 계획 대비 공장 규모를 확대하고 극자외선(EUV) 노광장비를 비롯한 첨단 장비를 도입하는 등 AI 메모리 수요의 지속 증가에 대비할 방침이다.

이와 함께 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여 곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하기로 하는 등 총 600조 원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.