삼성전자가 2나노 반도체 양산 일정을 공개하며 “최첨단 공정 기술로 인공지능(AI) 시대를 주도하겠다”고 밝혔다. 삼성전자는 27일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 AI 시대를 겨냥한 최첨단 파운드리 공정 로드맵을 발표하며 이같이 선언했다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장이 27일(현지시간) 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서 기조연설을 하고 있다. 연합뉴스

파운드리사업부 최시영 사장은 기조연설에서 “삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 ‘게이트올어라운드’(GAA·Gate All Around) 트랜지스터 기술 혁신으로 AI 기술 패러다임 변화를 주도할 것”이라고 말했다. GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술이다. 삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 GAA 기반 3나노(㎚·10억분의 1m) 반도체를 양산했다.

이미 2025년부터 2나노 반도체를 양산하겠다고 밝힌 삼성전자는 이날 구체적 일정도 제시했다. 2025년 모바일 중심으로 시작해 2026년 2나노 공정을 고성능컴퓨팅(HPC)에 적용하고, 2027년 차량용 반도체로 확대해 나간다는 계획이다. 또 2나노를 뛰어넘는 1.4나노 공정은 2027년부터 양산에 들어갈 것이라고 설명했다. 나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는 단위다. 선폭이 좁을수록 소비전력이 줄고 처리 속도가 빨라진다.

삼성전자가 이처럼 미세 공정 경쟁에 사활을 거는 것은 수요가 폭증하는 AI 반도체 등 차세대 시장을 선점하기 위해서다. AI 반도체 기술뿐만 아니라 양산 능력(클린룸)도 지속해서 확장하기로 했다. 삼성전자는 올해 하반기 평택 공장 3라인을 시작으로, 내년 하반기 미국 텍사스 테일러 공장 1라인에서 파운드리 제품 양산을 시작할 예정이다.