SKÇÏÀ̴нº°¡ 10ÀÏ Ã¢¸³ 41ÁÖ³âÀ» ¸Â¾Ò´Ù. SKÇÏÀ̴нº´Â »ý¼ºÇü ÀΰøÁö´É(AI) »ê¾÷ÀÇ ±Þ¼ºÀå¿¡ µû¶ó ±Û·Î¹ú AI ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ 1À§ ¾÷ü·Î ¿ì¶Ò ¼¹´Ù.
|
SKÇÏÀ̴нºÀÇ °í´ë¿ªÆø ¸Þ¸ð¸® HBM °³¹ß ¿ª»ç. SKÇÏÀ̴нº Á¦°ø
|
10ÀÏ SKÇÏÀ̴нº¿¡ µû¸£¸é 1983³â ¹ÝµµÃ¼ »ç¾÷À» ½ÃÀÛÇÑ SKÇÏÀ̴нº´Â 2022³â »ý¼ºÇü AI µîÀå ÀÌÈÄ ´Ù¾çÇÑ Á¦Ç°°ú ¼ºñ½º°¡ AI Áß½ÉÀ¸·Î ÀçÆíµÈ ±âȸ¸¦ Æ÷ÂøÇß°í 15³â°£ ±â¼úÀ» °³¹ßÇØ ÇöÀç¿¡ À̸£·¶´Ù.
SKÇÏÀ̴нº´Â AI È帧ÀÌ º»°ÝÈÇϱâ ÀüºÎÅÍ °í´ë¿ªÆøÀ¸·Î ´ë¿ë·® µ¥ÀÌÅ͸¦ ºü¸£°Ô Àü´ÞÇÏ´Â ¡®HBM(High Bandwidth Memory)¡¯ °³¹ß¿¡ ÁýÁßÇß´Ù. HBM2E¸¦ ÅëÇØ ½ÃÀå ÁÖµµ±ÇÀ» Àâ¾Ò°í AI¿Í °í¼º´É ÄÄÇ»Æÿ¡ ÃÖÀûÈµÈ HBM3·Î Å« ÁÖ¸ñÀ» ¹Þ¾Ò´Ù. ÀÌ È¸»ç´Â ÀÌ ¸Þ¸ð¸®¸¦ ¿£ºñµð¾Æ¿¡ °ø±ÞÇϸç AI¿Í µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ ½ÃÀåÀÇ ÇÙ½É ÆÄÆ®³Ê·Î ºÎ»óÇß´Ù. SKÇÏÀ̴нº´Â ÇöÀç HBM ½ÃÀå Á¡À¯À² 50%¸¦ Â÷ÁöÇÑ´Ù.
SKÇÏÀ̴нº´Â Áö³ÇØ ÃÖ°í ¼º´ÉÀÇ HBM3E(5¼¼´ë)¸¦ °³¹ßÇß°í ¿ÃÇغÎÅÍ ±Û·Î¹ú Åé IT ±â¾÷¿¡ Á¦Ç° °ø±Þ¿¡ µé¾î°¬´Ù. ÀÌ Á¦Ç°Àº ÃÊ´ç 1.2TB(Å׶ó¹ÙÀÌÆ®)ÀÇ µ¥ÀÌÅ͸¦ ó¸®ÇÑ´Ù.
SKÇÏÀ̴нº°¡ HBMÀ» °³¹ßÇÑ °ÍÀº 2009³âºÎÅÍ´Ù. ÀÌ È¸»ç´Â À̶§ TSV(Through Silicon Via¡¤D·¥ Ĩ¿¡ ¼öõ °³ÀÇ ¹Ì¼¼ ±¸¸ÛÀ» ¶Õ¾î Àü±ØÀ¸·Î ¿¬°á), WLP(Wafer Level Packaging¡¤¿þÀÌÆÛ¿¡¼ ÆÐŰ¡À» ¸¶¹«¸®ÇØ ¿ÏÁ¦Ç°À» ¸¸µê) ±â¼úÀÌ ¸Þ¸ð¸® ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÒ °ÍÀ¸·Î ÆÇ´ÜÇÏ°í º»°Ý °³¹ß¿¡ Âø¼öÇß´Ù. 4³â ÈÄÀÎ 2013³â ÀÌ ±â¼úÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ °í´ë¿ªÆø ¸Þ¸ð¸®, 1¼¼´ë HBMÀ» Ãâ½ÃÇß´Ù.
ÀÌÈÄ È¸»ç´Â ¿ ¹æÃâ°ú »ý»ê¼ºÀÌ ³ôÀº MR-MUF(Mass Reflow Molded UnderFill) ±â¼úÀ» HBM2E¿¡ Àû¿ëÇØ ½ÃÀå Æǵµ¸¦ ¹Ù²å´Ù. ÀÌÈÄ ¾ãÀº Ĩ ÀûÃþ, ¿ ¹æÃâ, »ý»ê¼ºÀÌ ¸ðµÎ Ź¿ùÇÑ ¾îµå¹ê½ºµå MR-MUF ±â¼úÀ» °³¹ßÇØ HBM3¿Í HBM3E¿¡ Àû¿ëÇÑ´Ù. ÀÌ ±â¼úÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î Áö³ÇØ¿¡´Â HBM3 12´Ü(24GB)À», ¿ÃÇØ¿¡´Â HBM3E 12´Ü(36GB) ¾ç»ê±îÁö ¼º°øÇß´Ù.