삼성전자는 반도체 위탁 생산 공정인 파운드리 생산을 위해 오는 2027년 1.4 나노 공정을 도입하겠다고 선언했다.
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| 삼성전자 최시영 파운드리사업부장이 미국 현지시간으로 3일 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서 발표를 하고 있다. 삼성전자 제공
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세계 1위 파운드리 업체인 대만 TSMC와의 경쟁에서 초미세 기술로 격차를 줄이겠다는 의미다. 삼성전자는 올해 상반기 세계 최초로 3 나노 GAA(Gate-All-Around) 공정 양산을 성공한 바 있다. 회로 선폭을 가리키는 나노미터(㎚·10억 분의 1ｍ)는 미세할수록 소비전력이 감소하고 처리 속도가 올라간다.
삼성전자가 미국 현지시간으로 3일 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022(Samsung Foundry Forum 2022)’를 열고, 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 3년 만에 오프라인으로 개최된 올해 삼성 파운드리 포럼에는 팹리스(생산 공정을 갖지 않은 설계회사) 고객·협력사·파트너 등 500여 명이 참석한 가운데 진행됐다.
삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장은 “고객의 성공이 삼성전자 파운드리 사업부의 존재 이유”라며 “삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다”고 말했다.
삼성전자는 선단 파운드리 공정 혁신과 함께 차세대 패키징 적층 기술 개발에 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산하고 지난 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3 나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작했으며 앞선 양산 노하우를 기반으로 3 나노 응용처를 확대하고 있다.
또한 삼성전자는 GAA 기반 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2 나노, 2027년에는 1.4 나노 공정을 도입할 계획이다. 삼성전자는 공정 혁신과 동시에 2.5D/3D 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 가속화한다.
특히 삼성전자는 3 나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편 3D IC 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공할 예정이다.
삼성전자는 HPC(High Performance Computing), 오토모티브(차량용 반도체), 5G, IoT 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극 공략해, 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워 갈 계획이다.
삼성전자는 지난 6월 세계 최초로 3 나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한데 이어, 4 나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대한다. eNVM(embedded Non-Volatile Memory)과 RF도 다양한 공정을 개발해 고객 니즈에 맞춘 파운드리 서비스를 제공한다.
삼성전자는 현재 양산 중인 28 나노 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14 나노로 확대하고, 향후 8 나노 eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다.
삼성전자는 평택, 화성과 미국 테일러에서 선단 공정 파운드리 제조 라인을 운영하고, 화성, 기흥과 미국 오스틴에서는 성숙 공정을 양산하고 있다. 특히 삼성전자는 앞으로 ‘쉘 퍼스트(Shell First)’ 라인 운영으로 시장 수요에 신속하고 탄력적으로 대응할 예정이다.
한편 삼성전자는 현지시간으로 3일 미국 실리콘밸리를 시작으로, 7일 독일 뮌헨, 18일 일본 도쿄, 20일 한국 서울에서 순차적으로 ‘삼성 파운드리 포럼’을 개최하고 각 지역별 고객 맞춤형 솔루션을 소개할 계획이다.
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